特許

J-GLOBAL ID：200903002235051719

III族窒化物レーザダイオードおよびその製造方法

発明者： 松原 邦雄 ,  国原 健二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085226
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277861
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】低抵抗のp型のIII 族窒化物半導体層を有し、発振開始電流の低いIII 族窒化物レーザダイオードを提供する。【解決手段】Alx Gay In1-x-y N(0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)からなるp型導電性層を有するIII 族窒化物レーザダイオードにおいて、前記p型導電性層6L、7Lにはアクセプタとなるドーパントと同時にSiがドーピングされている。1は基板、2〜4はn型導電性層、5は活性層である。

請求項（抜粋）：

Alx Gay In1-x-y N(0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)からなるp型導電性層を有するIII 族窒化物レーザダイオードにおいて、前記p型導電性層にはアクセプタとなるドーパントと同時にSiがドーピングされていることを特徴とするIII 族窒化物レーザダイオード。

Fターム (7件)：

5F073AA07 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA11 ,  5F073DA21 ,  5F073EA23