半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-298233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162470
出願日： 1994年12月01日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】リンをエミッタ電極のドーピング元素として用いる場合において、浅接合を実現した状態でエミッタ領域以外の半導体領域の抵抗を低下させる。【構成】エミッタ電極24を形成する際に、リンドープの非晶質シリコン膜を堆積した後、600°C〜750°C程度の低温アニール処理を施すことにより、非晶質シリコンを多結晶シリコンに変えるとともに非晶質シリコン膜中のリンをエピタキシャル層3E側に拡散させてエミッタ領域26を形成した後、900°C〜950°C程度の高温短時間アニール処理を施すことにより、ベース電極18a1やMOS・FETの半導体領域15p1 ,15p2 ,15n1 ,15n2 等の不純物の活性化率を向上させるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にバイポーラトランジスタと、MISトランジスタとを備え、前記バイポーラトランジスタは、前記半導体基板の主面に形成された第1導電型のベース領域と、前記ベース領域に電気的に接続された第1導電型の多結晶シリコンからなるベース電極と、前記ベース領域の表面に形成され、前記第1導電型と反対の第2導電型のエミッタ領域と、前記エミッタ領域に電気的に接続されたリンドープの多結晶シリコンからなるエミッタ電極とを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。(a)前記ベース領域の表面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜に接続孔を形成することにより、前記エミッタ領域の形成領域を露出させる工程。(b)前記ベース領域の表面を含む、前記半導体基板上にリンを含む非晶質シリコン膜を形成する工程。(c)前記半導体基板に対して、前記非晶質シリコン膜が多結晶シリコン膜に変わる範囲で、かつ、前記ベース領域および前記MISトランジスタのソース・ドレイン領域の接合深さが所望する値を越えない範囲の低温熱処理を施すことにより、前記非晶質シリコン膜中のリンを前記半導体基板のベース領域内に拡散させて前記ベース領域の表面にエミッタ領域を形成する工程。(d)前記半導体基板に対して、前記ベース領域および前記MISトランジスタのソース・ドレイン領域の接続抵抗値が所望する値となる範囲で、かつ、前記ベース領域および前記MISトランジスタのソース・ドレイン領域の接合深さが所望する値を越えない範囲の高温短時間熱処理を施す工程。

IPC (5件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8249

FI (3件)：

H01L 29/72 , H01L 27/06 101 B , H01L 27/06 321 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-044234
特開平2-114521
バイポーラトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-220235 出願人：株式会社東芝

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