特許

J-GLOBAL ID：200903002247957187

半導体装置の製造方法

発明者： 森 肇 ,  佐々木 智幸
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112160
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】ドライエッチング工程において酸化膜の耐圧の劣化や破壊を起こすことがないようにする。【構成】エッチングチャンバー1に反応ガスを導入し、MOS型トランジスタに高周波電力を徐々に印加する。その後、静電気発生シート4に高電圧のチャック用電圧を徐々に印加して静電吸着によりシリコン基板7を下部電極2に密着させる。この結果、プラズマが電気的に安定して放電している状態でシリコン基板7に静電吸着のためのチャック用電圧が印加されることになり、このチャック用電圧の印加によって発生する静電気がプラズマによって中和される。したがって、酸化膜8aにかかる電気的なストレスを防ぐことが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するドライエッチング工程において、上記半導体装置にプラズマを発生させるための高周波電力を印加し、該高周波電力の印加と同時、または、上記高周波電力を印加した後、チャック用電圧を印加して半導体基板を静電吸着によって電極に密着させること特徴とする半導体装置の製造方法。