特許

J-GLOBAL ID：200903002249383366

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 後藤 修 ,  中村 幸治 ,  中島 徹人 ,  堀川 英明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047644
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250799
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 電流ブロック層中に転位が少なく、活性層のダメージの少ない半導体レーザを提供する。【構成】 メサ構造25と電流ブロック層32及び34との間に、少なくともメサ構造25の側壁面25aと側壁面の裾部の上面25bとの境界領域25cから上面の領域にわたり、歪発生防止膜30を介在させてある。

請求項（抜粋）：

基板上に下側クラッド層、活性層および上側クラッド層を有するメサ構造と、該メサ構造の突出部の両側壁面およびこれら側壁面とそれぞれ連続している、メサ構造の裾部の上面に電流ブロック層を具える半導体レーザにおいて、前記メサ構造と前記電流ブロック層との間に、少なくとも前記側壁面と前記上面との境界領域から前記上面の領域にわたり、歪発生防止膜を介在させてなることを特徴とする半導体レーザ。