特許

J-GLOBAL ID：200903002249953197

成膜装置

発明者： 松浦 廣行
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208597
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032610
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 基板が搬入された反応容器内に第1の原料ガス及び第2の原料ガスを交互に供給して成膜処理をすると共に、未反応ガスはガス処理設備に排気する成膜装置において、良好な排気をすること。【解決手段】 反応容器に第1の原料ガスを供給するときには第1の真空排気路を介して第1の真空排気手段により排気を行い、ガスは第1の排気通路を介してガス処理設備に送る。また反応容器に第2の原料ガスを供給するときには切り替え手段で流路を切り替えて第2の真空排気路を介して第2の真空排気手段により排気を行い、ガスは第2の排気通路を介してガス処理設備に送る構成とする。この場合、排気通路内で原料ガスが混ざって反応物が生成することを抑えることができ、良好な排気を行うことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板が搬入された反応容器内に第1の原料ガス及びこの第1の原料ガスと反応し得る第2の原料ガスを交互に供給し、減圧雰囲気下で基板上に成膜すると共に、反応容器内のガスをガス処理設備に排気する成膜装置において、 前記反応容器に供給された第1の原料ガス及び第2の原料ガスの夫々を排気する第1の真空排気路及び第2の真空排気路と、 前記第1の真空排気路及び第2の真空排気路に夫々設けられた第1の真空排気手段及び第2の真空排気手段と、 これら第1の真空排気手段及び第2の真空排気手段の上流側に設けられ、前記第1の真空排気路と第2の真空排気路との間で流路を切り替える切り替え手段と、 前記第1の真空排気手段とガス処理設備との間、及び第2の真空排気手段とガス処理設備との間に夫々設けられた第1の排気通路及び第2の排気通路と、 第1の原料ガスを供給するときには第1の真空排気路に切り替え、第2の原料ガスを供給するときには第2の真空排気路に切り替えるように前記切り替え手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/318 B

Fターム (29件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030KA11 ,  4K030KA41 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EG01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜製造方法及び薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-032620   出願人：株式会社デンソー