特許
J-GLOBAL ID：200903002255816525
半導体装置及びその製造方法並びにその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195382
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040724
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 高い放熱効果を有しパッケージの小型化に適したヒートシンク及び放熱フィンリードを備えた半導体装置とその製造方法並びにその製造装置を提供する。【解決手段】 ヒートシンク1の側面に階段状の段差部を形成し、この段差部の形状に沿ってこの形状を包含するようにして金属板の主面に貫通孔を形成した放熱フィンリード3を前記段差部に圧着する。ここで、ヒートシンク主面の外縁部に機械的圧力を加えることで、この外縁部を前記放熱フィンリードにに覆い被さるようにする。圧着するときに外縁部に第1の側面10及び第2の側面11を有した溝9が形成されるように金属工具を押し当てる。
請求項（抜粋）：
一主面に半導体ペレットがボンデイングされ、この主面に対する側面に階段状の段差部を有したヒートシンクと、前記主面に隣接した段差部の形状に沿って前記形状を包含するようにして金属板の主面に貫通孔が形成された放熱フィンリードとを備え、前記貫通孔が前記ヒートシンク側面の段差部に圧着され、前記半導体ペレット、ヒートシンク及び放熱フィンリードが封止された半導体装置であって、前記ヒートシンク主面の外縁部に機械的圧力を加えて前記ヒートシンク外縁部に溝を形成し、この溝の外縁部を前記放熱フィンリードに圧着したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 F
, H01L 23/36 C
