特許

J-GLOBAL ID：200903002262236550

高強度圧電セラミックス及びその製造方法

発明者： 田島 健一 ,  岩下 修三 ,  中井 泰広
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078667
公開番号（公開出願番号）：特開平10-279350
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：

【要約】【課題】電気機械結合係数などの圧電特性の大きな劣化なく、高強度特性を有する圧電セラミックスとその及びその製造方法を提供する。【解決手段】平均粒径が3μm以下の圧電性セラミック粉末に対して、平均粒径が1μm以下のAl2 O3 、MgO、ZrO2 、HfO2 、Y2 O3 およびTiO2 の群から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物粉末を0.01〜5体積%の割合で添加し、これを成形後、該成形体にマイクロ波を照射し、900〜1300°Cの温度で加熱焼結して、平均粒径が3μm以下の圧電性セラミック結晶粒子と、平均粒径が1μm以下の前記金属酸化物を分散結晶粒子として含み、理論密度に対する相対密度が95%以上の焼結体を得る。

請求項（抜粋）：

平均粒径が3μm以下の圧電性セラミック結晶粒子と、平均粒径が1μm以下のAl2 O3 、MgO、ZrO2 、HfO2 、Y2 O3 およびTiO2 の群から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物からなる分散結晶粒子を含み、理論密度に対する相対密度が95%以上であることを特徴とする高強度圧電セラミックス。

IPC (5件)：

C04B 35/443 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H02N 2/00

FI (5件)：

C04B 35/44 101 ,  H02N 2/00 C ,  C04B 35/49 A ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A