特許

J-GLOBAL ID：200903002266842870

半導体装置

発明者： 大馬 高志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  アキタ電子株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261654
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107067
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 取り扱い性が良好な堅牢な半導体装置の提供。【解決手段】 表裏面中央に少なくとも一段窪んだ窪みを設けた多層構造の配線基板と、前記配線基板の表裏面の窪みにそれぞれ固定される半導体素子と、前記配線基板の表裏面に設けられかつ所定の内部配線と接続される外部電極と、前記半導体素子の電極と前記内部配線または外部電極とを電気的に接続する接続手段と、前記半導体素子を覆う絶縁性の封止体(レジン)とを有する。前記半導体素子はメモリ素子からなり、前記配線基板の上面側電極および下面側電極は透視的に上下に重なり、相互に重なる電極は同一機能の電極となっている。前記半導体装置は順次重ねることができる構造となり、重ねることによって下部の半導体装置の上面側電極と上部の半導体装置の下面側電極が電気的に接続されるように構成されている。

請求項（抜粋）：

表裏面中央に少なくとも一段窪んだ窪みを設けた多層構造の配線基板と、前記配線基板の表裏面の窪みにそれぞれ固定される半導体素子と、前記配線基板の表裏面に設けられかつ所定の内部配線と接続される外部電極と、前記半導体素子の電極と前記内部配線または外部電極とを電気的に接続する接続手段と、前記半導体素子を覆う絶縁性の封止体とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 L