特許

J-GLOBAL ID：200903002271162764

半導体素子類の研磨方法およびそれに用いる樹脂砥石の製造方法

発明者： 尾形 正次 ,  守屋 明宏 ,  谷本 道夫 ,  森山 茂夫
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139454
公開番号（公開出願番号）：特開平10-329031
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：

【要約】【課題】半導体用シリコンウエハ、シリコンウエハ上に形成された配線材料、あるいは多層配線を行う際に形成する層間絶縁膜などの研磨及び平坦化に有用な加工法を提供する。【解決手段】下記のような砥石を用いて研磨を行う。軟化温度が50〜180°Cの自己発泡性または発泡剤により、発泡性を付与した発泡性熱硬化性樹脂100体積%と、平均粒径が0.1〜5μmの砥粒50〜200体積%を必須成分とし、軟化温度が50〜180°Cの自己発泡性または発泡剤により、発泡性を付与した発泡性熱硬化性樹脂単独または平均粒径が0.1〜5μmの砥粒を加えた状態で、発泡性熱硬化性樹脂を平均粒径5μm以下に粉砕し両者を均一に分散混合した後、当該混合物を型に入れ140〜220°C、0.1〜20kg/cm2 の加圧下で気孔率が40〜60体積%になるように成形する。

請求項（抜粋）：

凹凸パターンが形成されている基板の表面上に薄膜を形成するステップと、該基板の該薄膜が形成されている面を研磨工具表面上に押しつけて相対運動させながら、該凹凸パターンを平坦化するステップとを含む研磨方法において、上記研磨工具として、軟化温度が50〜180°Cの自己発泡性または発泡剤により、発泡性を付与した発泡性熱硬化性樹脂100体積%と、平均粒径が0.1〜5μmの砥粒50〜200体%を必須成分とする樹脂砥石を用いることを特徴とする研磨方法。

IPC (4件)：

B24D 3/28 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

B24D 3/28 ,  B24B 37/04 A ,  H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/88 K