特許
J-GLOBAL ID：200903002272956950
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160825
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078869
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】微細な半導体素子の段差部における被覆性を確保し、しかも、加工の困難さによる寸法制御の低下を抑制できると共にCuの基板への拡散を防止でき、低抵抗で信頼性の高い配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】Wをイオン注入することにより、Ti酸化膜20の表面及びコンタクト孔の底部24aに、Cu膜などの金属膜の成長核となる種金属を含む層を形成し、3000〜6000Å程度の厚さのCu層28を配線溝26及びコンタクト孔24に選択的に形成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された第1の絶縁膜、該第1の絶縁膜の上に形成された遷移金属を含む第2の絶縁膜、及び該第2の酸化膜の上に形成された第3の絶縁膜からなる絶縁膜層と、該絶縁膜層を貫通し、底部に遷移金属からなる膜が形成されると共に内部にCu系配線が形成されたコンタクト孔と、前記第3の絶縁膜に形成された、Cu系配線が形成された配線溝とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
