特許
J-GLOBAL ID：200903002277904096

レベルシフタ回路

発明者：
武田 尚久

武田 尚久 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-005288
公開番号（公開出願番号）：特開2009-171084
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】素子数が少なくても動作が速いレベルシフタ回路を提供する。【解決手段】入力電圧Vinが接地電圧Vssになり、PMOS31及びNMOS21のゲート電圧(レベルシフタ部の入力端子の電圧)が電源電圧Vddになると、NMOS23がオンすることにより、PMOS33及びNMOS22のドレイン電圧(レベルシフタ部の出力端子の電圧)が電源電圧Vppになりやすくなり、出力電圧Voutが接地電圧Vssになりやすくなる。つまり、レベルシフタ回路の動作が速くなる。また、従来のレベルシフタ回路と比較し、インバータの数が少なくなるので、素子数が少なくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レベルシフタ回路において、 入力された電圧を所定電圧にレベルシフトするレベルシフタ部と、 ソースが前記レベルシフタ部の出力端子に設けられ、ドレインに電源電圧を供給され、前記レベルシフタ部の入力端子がハイになるとオンするNMOSと、 を備えることを特徴とするレベルシフタ回路。
IPC (1件)：
H03K 19/018
FI (1件)：
H03K19/00 101E
Fターム (10件)：
5J056AA11 ,  5J056BB02 ,  5J056BB52 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056EE04 ,  5J056EE07 ,  5J056EE11 ,  5J056FF08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
  • 特開昭59-216327
  • レベルシフタ回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-332593   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体論理回路および回路レイアウト構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-237760   出願人：松下電器産業株式会社
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