特許
J-GLOBAL ID：200903002280146585
半導体搭載用複合放熱基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和田 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313968
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211248
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 プラスチックパッケージあるいはフレキシブルプリント配線盤に使用される半導体放熱基板において、放熱基板と半導体またはプラスチックパッケージ等との熱膨張差異による半導体やパッケージの信頼性の低下等の問題が発生しない信頼性の高い半導体パッケージを提供することを目的とする。【構成】 半導体搭載用複合放熱基板であって、その半導体素子搭載部が溶浸法により作られた銅を5〜25重量%含むCu-WまたはCu-Mo複合合金1からなり、プラスチックパッケージに隣接する部分が銅を95%以上含む銅または銅合金2からなっており、当該部両部分を接合し一体化した基板4。
請求項（抜粋）：
半導体搭載用複合放熱基板であって、その半導体素子搭載部が溶浸法により作られた銅を5〜25重量%含むCu-WまたはCu-Mo複合合金からなり、プラスチックパッケージに隣接する部分が溶浸法により作られた銅を40〜70重量%含むCu-WまたはCu-Mo複合合金からなっており、当該両部分を接合し一体化したことを特徴とする半導体搭載用複合放熱基板。
IPC (3件)：
H01L 23/14
, B22F 5/00 101
, B22F 7/08
