特許

J-GLOBAL ID：200903002284839658

低温での成膜に適したITOスパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： 野中 荘平 ,  高山 孝一 ,  三島 昭史
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 町野 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110838
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302016
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】 低い基板温度でも優れた結晶性を持った低抵抗なITO薄膜が形成可能なITOスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】 鋳込み成型法によるITOターゲットの製造方法において、バインダーとして多糖類系バインダーを用いることにより、(222)ピークの半値幅をWs、ターゲット断面のX線回折により求められる(222)ピークの半値幅をWcとしたとき、0≦{(│Ws-Wc│/Wc}×100≦25で、かつ、0≦{│Ws-Wc│/Ws}×100≦40である、均一で、低い基板温度でも優れた結晶性を持った低抵抗なITO薄膜が形成可能なITOスパッタリングターゲットが得られる。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 ターゲットのスパッタ面のX線回折により求められる(222)ピークの半値幅をWs、ターゲット断面のX線回折により求められる(222)ピークの半値幅をWcとしたとき、0≦{(│Ws-Wc│/Wc}×100≦25であり、かつ、0≦{│Ws-Wc│/Ws}×100≦40であるITOスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C01G 15/00 ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

C01G 15/00 B ,  C01G 1/00 B ,  C23C 14/34 A