特許
J-GLOBAL ID：200903002290367849
量子箱集合素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260656
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 情報処理後の電子の分布をより確実且つ簡単に出力情報として検出し得る量子箱集合素子を提供する。【構成】 電極1上にそれぞれ複数の第1〜第3の量子箱を第1〜第3の量子箱の基底状態のエネルギーE01、E02、E03がE03>E02>E01となるように構成し、第1の量子箱間及び第3の量子箱間においては電子のトンネリングが不可能とされ、第2の量子箱間においては電子のトンネリング可能とされてこの第2の量子箱間において電子分布の変化による情報処理を行う構成とすると共に、第3の量子箱から電子又はホールのトンネリングはできないがクーロン力は及ぶ厚さの障壁層8を介してチャネル層9を設け、このチャネル層9の両端の電極間の伝導度の磁場依存性(磁気指紋)を測定することによって第3の量子箱における電子分布を得て処理情報の出力を行う構成とする。
請求項（抜粋）：
電極と、上記電極上に設けられた電子親和力φ<SB>1 </SB>及びエネルギーギャップE<SB>g1</SB>を有する第1の半導体からなる第1の井戸層が、φ<SB>2 </SB><φ<SB>1 </SB>及び φ<SB>2 </SB>+E<SB>g2</SB><φ<SB>1 </SB>+E<SB>g1</SB>の両関係式を満足する電子親和力φ<SB>2 </SB>及びエネルギーギャップE<SB>g2</SB>を有する第2の半導体からなる第1の障壁層により囲まれた構造の複数の第1の量子箱と、上記第1の障壁層上に上記複数の第1の量子箱に対応して設けられたその配列面内において、電子親和力φ<SB>3 </SB>を有する第3の半導体からなる第2の井戸層がφ<SB>4 </SB><φ<SB>3 </SB>及び φ<SB>3 </SB>-φ<SB>4 </SB><φ<SB>1 </SB>-φ<SB>2</SB>の両関係式を満足する電子親和力φ<SB>4 </SB>を有する第4の半導体からなる第2の障壁層により囲まれた構造の複数の第2の量子箱と、上記第2の障壁層上に上記複数の第2の量子箱に対応して設けられた上記第1の半導体からなる第3の井戸層が、上記第2の半導体からなる第3の障壁層と、電子親和力φ<SB>5 </SB>が上記第2の半導体の電子親和力φ<SB>2 </SB>に対しφ<SB>5 </SB><φ<SB>2 </SB>を満足する第5の半導体からなる第4の障壁層により囲まれた構造の複数の第3の量子箱と、上記第4の障壁層上のチャネル層と、上記チャネル層の両端に設けられたソースまたはドレイン電極とを有し、上記第4の障壁層は電子またはホールがトンネリングしない厚さとされ、上記第1の量子箱の基底状態のエネルギーをE<SB>01</SB>、上記第2の量子箱の基底状態のエネルギーをE<SB>02</SB>、上記第3の量子箱の基底状態のエネルギーをE<SB>03</SB>とするとき、E<SB>03</SB>>E<SB>02</SB>>E<SB>01</SB>の関係式が成立するようになされたことを特徴とする量子箱集合素子。
IPC (3件)：
H01L 29/804
, H01L 29/68
, H01L 49/00
