特許

J-GLOBAL ID：200903002302323427

半導体装置作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  永田 勇二郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251340
出願日： 1980年06月30日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】単結晶とアモルフアスの中間状態の半導体を得ること。【構成】基板上に導体または半導体の電極を形成した後、該電極上にスパッタ法により珪素またはゲルマニュームを主成分とするアモルフアス構造の半導体を形成し、その後前記アモルフアス構造の半導体を200°C以上結晶化温度以下に加熱することを特徴とする。

請求項１：

基板上に導体または半導体の電極を形成した後、該電極上にスパッタ法により珪素またはゲルマニュームを主成分とするアモルフアス構造の半導体を形成し、その後前記アモルフアス構造の半導体を200°C以上結晶化温度以下に加熱することを特徴とする半導体装置作製方法

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-050663
  
• 特開昭55-078524
  
• 特開昭52-122471