特許
J-GLOBAL ID:200903002310198038

低熱膨張回路基板および多層配線回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西藤 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-288334
公開番号(公開出願番号):特開平11-238954
出願日: 1998年10月09日
公開日(公表日): 1999年08月31日
要約:
【要約】【課題】半導体素子を高信頼で簡便に搭載することができる低熱膨張回路基板を提供する。【解決手段】Ni-Fe系合金箔2もしくはチタン箔が芯材として配設された絶縁層3の両面に配線導体4が設けられた低熱膨張回路基板1である。そして、上記低熱膨張回路基板1の半導体素子実装面に接着性樹脂層5が設けられている。
請求項(抜粋):
Ni-Fe系合金箔もしくはチタン箔が芯材として配設された絶縁層の両面に配線導体が設けられている低熱膨張回路基板であって、上記低熱膨張回路基板の半導体素子実装面に接着性樹脂層が設けられていることを特徴とする低熱膨張回路基板。
IPC (4件):
H05K 1/05 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/46 ,  C09J179/00
FI (5件):
H05K 1/05 A ,  H05K 3/46 K ,  H05K 3/46 T ,  C09J179/00 ,  H01L 23/14 R

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