特許
J-GLOBAL ID:200903002314735437

半導体製造用部品及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-127840
公開番号(公開出願番号):特開2001-302353
出願日: 2000年04月27日
公開日(公表日): 2001年10月31日
要約:
【要約】【課題】低熱膨張率、軽量の特性を有しつつ、かつ被研削性の優れた快削性の窒化珪素質焼結体からなる半導体製造用部品を提供する。【解決手段】窒化珪素を主成分とし、珪素以外の金属元素の含有量が1%以下、相対密度が70%以上、最大ボイド径が100μm以下、ビッカース硬度が12GPa以下、および破壊靭性が5MPa・m1/2以下の焼結体からなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
窒化珪素を主成分とし、珪素以外の金属元素の含有量が1重量%以下、相対密度が70%以上、最大ボイド径が100μm以下、ビッカース硬度が12GPa以下、および破壊靭性が5MPa・m1/2以下の焼結体からなることを特徴とする半導体製造用部品。
Fターム (17件):
4G001BA01 ,  4G001BA07 ,  4G001BA09 ,  4G001BA12 ,  4G001BA32 ,  4G001BA62 ,  4G001BB01 ,  4G001BB07 ,  4G001BB09 ,  4G001BB12 ,  4G001BB32 ,  4G001BC13 ,  4G001BC45 ,  4G001BC48 ,  4G001BD11 ,  4G001BD12 ,  4G001BD16

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