特許
J-GLOBAL ID：200903002314866752
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-064817
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172645
出願日： 2004年03月08日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】結晶性に優れた窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体を得る。【解決手段】基板10上にSiNバッファ体12を離散的に形成し、その上に低温GaNバッファ層14を形成する。低温GaNバッファ層14上に離散的に第2のSiNバッファ体15を形成し、高温GaN半導体層16を成長させる。第2のバッファ体15により低温GaNバッファ層14を大部分被覆するため、昇温時に低温GaNバッファ層14の蒸発を抑え、GaN半導体層16の転位を抑制する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を低温で成長させ、さらに前記バッファ層上にGaN系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、
前記GaN系化合物半導体の形成に先立ち、前記バッファ層上に前記GaN系化合物半導体形成時の昇温に伴う前記バッファ層の蒸発を防止する蒸発防止バッファ体を離散的に形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AD09
, 5F045AD15
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045BB12
, 5F045DA53
, 5F045EB15
