特許

J-GLOBAL ID：200903002316571300

有機半導体トランジスタ

発明者： 佐藤 尚武 ,  村井 啓一 ,  宮崎 元
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154907
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356538
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】電荷移動度及びオン電流/オフ電流比のそれぞれが優れた有機半導体トランジスタを提供する。【解決手段】電荷搬送性を示す有機材料で被覆修飾されている金属微粒子を半導体層としてソース電極及びドレイン電極間に配置された有機半導体トランジスタを提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極、絶縁材料層、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層を有する有機半導体トランジスタにおいて、該半導体層が電荷搬送性を示す有機材料で被覆修飾されている金属微粒子により構成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に少なくとも一つ以上の前記金属微粒子が配置されていることを特徴とする有機半導体トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/205 ,  H01L29/28

Fターム (22件)：

5F045AB40 ,  5F045EB20 ,  5F110AA05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02