特許

J-GLOBAL ID：200903002317885120

III-V族化合物半導体膜の形成法

発明者： 和田 嘉記 ,  和田 一実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117946
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310445
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体基板上に、III-V族化合物半導体膜を、エピタキシャル成長法によって形成するにつき、それに先他と、III-V族化合物半導体基板の表面を十分清浄化させる。【構成】 III-V族化合物半導体基板上に、III-V族化合物半導体膜を、エピタキシャル成長法によって形成するにつき、III-V族化合物半導体基板に対し、(a)それを、それを構成している元素とは異なるV族元素を含むガスの雰囲気中で加熱し、(b)次で、上記III-V族化合物半導体基板をそれを構成しているV族元素と同じV族元素を含むガスの雰囲気中で加熱する、という前処理を施す。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体基板上に、III-V族化合物半導体膜を、エピタキシャル成長法によって形成するにつき、III-V族化合物半導体基板に対し、(a)それを、それを構成している元素とは異なるV族元素を含むガスの雰囲気中で加熱し、(b)次で、上記III-V族化合物半導体基板をそれを構成しているV族元素と同じV族元素を含むガスの雰囲気中で加熱する、という前処理を施すことを特徴とするIII-V族化合物半導体膜の形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14