特許

J-GLOBAL ID：200903002319952479

磁気メモリ装置およびその製造方法

発明者： 元吉 真 ,  五十嵐 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085095
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282836
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 磁化メモリ装置の書き込みワード線が発する電流磁界を効率よくTMR素子の記憶層に印加できる磁束集中器を提供することで、書き込み特性の向上を図る。【解決手段】 TMR素子13と、TMR素子13と電気的に絶縁された書き込みワード線(第1配線)11と、TMR素子13と電気的に接続されるものでTMR素子13を間にして書き込みワード線11と立体的に交差するビット線(第2配線)12とを備えた磁気メモリ装置1において、少なくとも書き込みワード線11の両側面およびTMR素子13に対向する面とは反対側の書き込みワード線11面にそって、高透磁率層からなる磁束集中器51が設けられ、磁束集中器51の側壁の少なくとも一方は書き込みワード線12よりTMR素子13側に突き出した状態に形成されているものである。

請求項（抜粋）：

第1配線と、前記第1配線と立体的に交差する第2配線と、前記第1配線と電気的に絶縁され、前記第2配線と電気的に接続されたもので、前記第1配線と前記第2配線との交差領域にトンネル絶縁層を強磁性体で挟んで構成されるトンネル磁気抵抗素子とを備えたもので、前記強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶する不揮発性の磁気メモリ装置において、前記第1配線に、少なくとも、前記第1配線の両側面および前記トンネル磁気抵抗素子に対向する面とは反対側の面に高透磁率層からなる磁束集中器が設けられ、前記第1配線の側面に形成された前記高透磁率層の少なくとも一方は前記第1配線より前記トンネル磁気抵抗素子側に突き出した状態に形成されていることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11C 11/15 110 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (23件)：

5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR09 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40