特許
J-GLOBAL ID：200903002320388471
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110541
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303213
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、電流利得が大きく信頼性の高いヘテロ接合バイポーラ型の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10と、コレクタ層14と、コレクタ層14上に形成されたベース層18と、ベース層18上に形成され、III族元素としてInを含み、V族元素としてPを含むIII-V族化合物半導体より成る第1のエミッタ層20と、第1のエミッタ層20上に形成され、In及びAlを含まず、V族元素としてP及び/又はAsを含むIII-V族化合物半導体より成るエミッタ保護層22と、エミッタ保護層22上に形成された第2のエミッタ層24と、ベース層18に接続されたベース電極36とを有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成され、III族元素としてInを含み、V族元素としてPを含むIII-V族化合物半導体より成る第1のエミッタ層と、前記第1のエミッタ層上に形成され、In及びAlを含まず、V族元素としてP及び/又はAsを含むIII-V族化合物半導体より成るエミッタ保護層と、前記エミッタ保護層上に形成された第2のエミッタ層と、前記ベース層に接続されたベース電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
