特許
J-GLOBAL ID：200903002322133217
電界効果トランジスタおよびそれを用いた増幅回路
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299549
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151468
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 相互コンダクタンスが良好な電界効果トランジスタおよびそれを用いた高性能低雑音増幅器を提供する。【構成】 InGaAs層をチャネルとし、このInGaAs層のゲート側に接してGaAs層を配置する。或いは、チャネルの基板側にInGaAs及び基板材料よりバンドギャップの大きな材料から成る層を配置する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成されたチャネルとして働くInGaAs層と、該InGaAs層上に該InGaAs層に接して形成されたGaAs層と、該GaAs層上に該GaAs層に接して形成された上記InGaAs層よりもバンドギャップが大きい半導体層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
