特許
J-GLOBAL ID:200903002326712017
基板上に取り付けるためのチップの精密位置合せ方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-075124
公開番号(公開出願番号):特開2000-299428
出願日: 2000年03月17日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【課題】 アブレーション放射に透過性のガイド基板を使用する、キャリア基板に取り付けられたチップを有するモジュールを製造する方法を提供すること。【解決手段】 ガイド基板35の表面上に除去可能な層37を設ける。除去可能な層上に第1位置合せガイド36を形成し、チップ30の表側表面上に第2位置合せガイド21を形成する。第2位置合せガイドを第1位置合せガイドに接触させることによって、チップをガイド基板に位置合せする。次いでチップ30をガイド基板35に取り付ける。キャリア基板52をチップの裏側表面に取り付ける。次いで、ガイド基板を透過する放射(一般的にレーザ放射)を使用して、除去可能な層37とガイド基板35との間の界面を融除し、それによってガイド基板35を切り離す。次いで、チップの表側表面上に、金属相互接続を備える薄膜を設けることができる。
請求項(抜粋):
キャリア基板上に取り付けられた集積回路デバイスを製造する方法であって、除去可能な層を表面に有し、アブレーション放射に透過性を有するガイド基板を提供するステップと、前記除去可能な層上に第1位置合せガイドを形成するステップと、チップの表側表面上に第2位置合せガイドを形成するステップと、前記第2位置合せガイドを前記第1位置合せガイドに接触させることによって、チップをガイド基板に位置合せするステップと、チップを前記ガイド基板に取り付けるステップと、前記キャリア基板をチップに取り付けるステップと、ガイド基板を透過するアブレーション放射を使用して、前記除去可能な層と前記ガイド基板との間の界面を融除し、それによって前記ガイド基板を切り離すステップとを含む方法。
IPC (3件):
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 23/522
FI (2件):
H01L 25/04 Z
, H01L 23/52 B
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