特許

J-GLOBAL ID：200903002335758690

半導体装置

発明者： 堀口 剛司 ,  碓井 修 ,  大井 健史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381719
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188378
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 放熱性が劣る表面電極の中央部の温度上昇を抑制することにより、長期的な信頼性が向上した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子1から表面電極2の中央部および金属ワイヤ4を介して外部電極3に至るまでの合成抵抗を、半導体素子1から表面電極2の周縁部および金属ワイヤ4を介して外部電極3に至るまでの合成抵抗より大きくするか、または、金属ワイヤ4を表面電極2の周縁部のみに接合する等の手法により、放熱性が劣る表面電極2の中央部の温度上昇を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子の主表面に沿って設けられ、該半導体素子と電気的に接続された表面電極と、該半導体素子の外部に設けられた外部電極と、前記表面電極と前記外部電極とを電気的に接続する外部配線とを備え、前記表面電極を、前記主表面側から見て、中央部と該中央部を取り囲む周縁部とに区別した場合に、前記半導体素子の駆動時に、前記周縁部の電流密度が、前記中央部の電流密度よりも高くなるように構成された、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (5件)：

H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/88 A

Fターム (12件)：

5F033HH11 ,  5F033MM21 ,  5F033RR03 ,  5F033RR05 ,  5F033UU07 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX22 ,  5F044AA07 ,  5F044AA18 ,  5F044EE02 ,  5F044JJ05