特許
J-GLOBAL ID：200903002342672130
化合物半導体単結晶の製造法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254978
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】双晶欠陥が発生し易い<100>方向成長で、特に双晶欠陥が多発する結晶の肩部の形状を工夫し双晶発生の低減および歩留の向上を図る。【構成】結晶の肩部について、結晶の長手方向に垂直な面に対する水平方向の肩部の角度をθh、垂直方向の肩部の角度をθvとしたとき、75度>θh>θv>30度として結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するAB型化合物半導体単結晶をボート法を用いて製造する方法において、育成すべきAB型化合物半導体単結晶の種結晶から直胴部にかけての増径部である結晶の肩部について、結晶の長手方向に垂直な面に対する水平方向の前記肩部の角度をθh、結晶の長手方向に垂直な面に対する垂直方向の前記肩部の角度をθvとしたとき、75度>θh>θv>30度として結晶を育成することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造法。
IPC (5件)：
C30B 11/00
, C30B 11/14
, C30B 29/40
, C30B 29/48
, H01L 21/208
