特許
J-GLOBAL ID：200903002344730910
AlGaAsP半導体レーザ装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081174
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283797
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 高出力での動作によって高いバイアスが加わる場合でも、リッジ部以外の部分における電流リークが小さく、電流狭窄効果が高い半導体レーザ装置を提供する。【構成】 リッジ部111の上方部分112を混晶化することにより、コンタクト層18を形成するp型GaAs層とp型Al<SB>u</SB>Ga<SB>1-u</SB>InP(0≦u<1)からなる中間層16との間に、p型GaAsの価電子帯端エネルギーとp型Al<SB>u</SB>Ga<SB>1-u</SB>InPの価電子帯端エネルギーの中間の大きさの価電子帯端エネルギーを有するp型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asが形成される。よって、これら混晶どうしの界面におけるバンド不連続の大きさが小さくなるため、電流は該コンタクト層18からp型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層112、該中間層16へと流れやすくなり、該リッジ部111に集中する。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上に、n型Al<SB>s</SB>Ga<SB>1-s</SB>InP(0<s≦1)からなるクラッド層、Al<SB>t</SB>Ga<SB>1-t</SB>InP(0≦t<1)からなる活性層、ストライプ状のリッジ部を有するp型Al<SB>s</SB>Ga<SB>1-s</SB>InPからなるクラッド層、および該リッジ部の上部に設けられたp型Al<SB>u</SB>Ga<SB>1-u</SB>InP(0≦u<1)からなる中間層がこの順に積層形成されているとともに、該中間層を覆った状態で該p型Al<SB>s</SB>Ga<SB>1-s</SB>InPクラッド層の上に、さらにGaAs層とAl<SB>m</SB>Ga<SB>1-m</SB>As(0<m≦1)層からなる多層膜と、p型GaAsコンタクト層がこの順に形成され、該リッジ部の上方部分が混晶化された半導体レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
