特許

J-GLOBAL ID：200903002345772136

半導体装置とその製造方法

発明者： 大門 正機 ,  鶴見 敬章 ,  金 宗煕
出願人/特許権者： 大門 正機 ,  鶴見 敬章
代理人 (1件)： 西出 眞吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075234
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243525
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】シリコン基板上に高誘電率・強誘電体材料、超伝導体材料、光学特性に富んだ非線形光学材料・磁気光学材料・電気光学材料・音響光学材料など各種の酸化物セラミック薄膜を成膜する際に用いて好ましい酸化物緩衝膜、およびDRAMのキャパシタに用いて好ましい絶縁膜を提供する。【構成】シリコン基板または酸化シリコンなどのシリコン系層1,2の表面に、雰囲気温度760°C〜800°Cでビスマス成分を含む気体を供給し、ケイ酸ビスマス層3を形成する。半導性であるケイ酸ビスマス層上に強誘電体層、酸化物光学材料層、酸化物超伝導体層を形成する。高誘電率ケイ酸ビスマス層をDRAMのキャパシタとする。ケイ酸ビスマスの結晶構造に対して下地層のシリコンの結晶構造および表面に形成する強誘電体等のペロブスカイト構造が格子整合してケイ酸ビスマス層、強誘電体層はエピタキシャル成長を行うことになる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板または酸化シリコンなどのシリコン系層の表面にケイ酸ビスマス層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04