特許
J-GLOBAL ID:200903002349363400

薄膜エレクトロルミネッセント素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西教 圭一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-190569
公開番号(公開出願番号):特開平7-045368
出願日: 1993年07月30日
公開日(公表日): 1995年02月14日
要約:
【要約】【目的】 駆動電圧を低減し、かつ発光特性の長期信頼性を向上する。【構成】 透光性基板2の表面2a上に、下部電極3、下部絶縁層4、EL発光層5、上部絶縁層6および上部電極7がこの順に積層される。絶縁層4,6は、EL発光層5側から順に、EL発光層5への不純物の拡散を防止する材料であるSi3N4からなる第1絶縁層4a,6a、高誘電率材料であるSrTiO3あるいはCaTiO3からなる第2絶縁層4b,6b、および第3絶縁層4c,6cが積層される。第1絶縁層4a,6aであるSi3N4膜によってイオンの拡散が防止されるので、高誘電率材料を第2絶縁層4b,6bとして使用することが可能となり、駆動電圧が低減し、発光特性の低下が少なくなって長期信頼性が向上する。
請求項1:
透光性基板上に、下部電極、下部絶縁層、EL発光層、上部絶縁層および上部電極がこの順に積層され、前記上部および下部絶縁層は、前記EL発光層側から順に、第1絶縁層、第2絶縁層、第3絶縁層が積層される薄膜エレクトロルミネッセント素子において、前記第1絶縁層材料として、前記EL発光層への不純物の拡散を防止する材料が選ばれ、前記第2絶縁層材料として、高誘電率材料が選ばれることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセント素子。

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