特許
J-GLOBAL ID：200903002353702392
高電圧発生回路、イオン発生装置、及び電気機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
佐野 静夫
, 井上 温
, 渋谷 和俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-183086
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021110
出願日： 2007年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】小型化を図ることができ、且つ、出力する高電圧の正のピーク電圧及び負のピーク電圧以外の減衰信号を低減することができる高電圧発生回路を提供する。【解決手段】直流電源27から出力される直流電圧を昇圧して2次側に高電圧を出力する昇圧部(トリガーコイル22)と、前記昇圧部の1次側電流を断続するスイッチング素子(MOS FET23)と、前記スイッチング素子のON/OFFを制御するためのパルス信号を発生するパルス信号発生部24Bと、前記スイッチング素子がONからOFFになった瞬間に前記昇圧部の1次側電流を流す整流素子(ダイオード25)とを備える高電圧発生回路。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
直流電源から出力される直流電圧を昇圧して高電圧を出力する昇圧部と、
前記昇圧部の1次側電流を断続するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のON/OFFを制御するためのパルス信号を発生するパルス信号発生部と、
前記スイッチング素子がONからOFFになった瞬間に前記昇圧部の1次側電流を流す整流素子とを備えることを特徴とする高電圧発生回路。
IPC (3件)：
H01T 23/00
, H01T 19/04
, A61L 9/22
H01T23/00
, H01T19/04
, A61L9/22
3L051BC10
, 4C080AA09
, 4C080BB05
, 4C080MM40
, 4C080QQ17
