特許

J-GLOBAL ID：200903002356826971

希土類元素を含む分散粒子系酸化物薄膜とその製造方法

発明者： 安達 裕 ,  高橋紘一郎 ,  鈴木 宏行
出願人/特許権者： 科学技術庁無機材質研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148246
公開番号（公開出願番号）：特開平9-310169
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 高い配向性を有し、ピン止め点が薄膜中に均一に導入された、磁場に強く高臨界電流密度の超伝導酸化物薄膜や、担体あるいは基板上に活性度および反応速度の制御が可能な触媒および反応速度の制御が可能な触媒およびセンサー素子の新しい製造方法を提供する。【解決手段】 スパッター装置を用い、希土類元素および銅元素をターゲットとして、これらを順次スパッターすることによって基板上に金属多層膜を形成し、次いで酸化性雰囲気中で熱酸化処理して粒子分散系酸化物薄膜とする。

請求項（抜粋）：

1種以上の希土類元素と銅とを含有し、基板表面に粒子分散された状態の薄膜として存在することを特徴とする希土類元素を含む粒子分散系酸化物薄膜。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/00

FI (5件)：

C23C 14/08 ZAA L ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/34 Q ,  C30B 29/22 501 H ,  H01L 39/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-037104
  
• 特開平1-152772
  
• 特開平2-311396