特許
J-GLOBAL ID：200903002360099693

半導体装置及び接合材料

発明者：
守田 俊章

守田 俊章 について

, 
保田 雄亮

保田 雄亮 について

, 
井出 英一

井出 英一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-062222
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267374
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】半導体装置のAl電極と、金属粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上させる手段を提供する。【解決手段】半導体素子のAl電極がAg又はCuで構成された接合層を介して接続され、前記接合層と前記Al電極とが非晶質層を介して接合している構造を備えた半導体装置を特徴とする。平均粒径が1nm〜50μmの金属酸化物粒子と酢酸系化合物、またはギ酸系化合物、及び有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、大気雰囲気中において接合を行うことでAl電極に対して優れた接合強度が得ることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
銀、または銅を主材とした層とアルミニウムを主材とした導体が非晶質層を介して接合した構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/52
FI (2件)：
H01L21/60 321E ,  H01L21/52 A
Fターム (3件)：
5F047AA14 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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