特許

J-GLOBAL ID：200903002364413716

SOI基板並びにそれを用いた半導体装置およびその製造方法

発明者： 原田 卓 ,  永井 謙治 ,  上野 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220266
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064320
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 対基板寄生素子による影響を軽減することにより信号の減衰を防止して、高周波特性を良好にすることが可能な技術を提供する。【構成】 バイポーラトランジスタQからなる能動素子、あるいは負荷抵抗RLおよび帰還抵抗REからなる受動素子のような回路素子を形成した各半導体領域4A、4B、4Cが、約50Ωcm以上の抵抗率を有する支持基板2上に形成される。支持基板2の抵抗率を高めたことで、対基板寄生素子による影響を軽減することにより信号の減衰を緩和して、高周波特性を良好にすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

支持基板上に絶縁膜を介して半導体層が形成されるSOI基板であって、前記支持基板は約50Ωcm以上の抵抗率を有することを特徴とするSOI基板。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (5件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/76 D ,  H01L 23/12 B ,  H01L 29/72