内部狭窄型半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037393
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】内部狭窄型半導体レーザ装置に形成するストライプ状の溝幅の制御性を高めかつ異方性エッチングによるダメージを回避できる構造とその製造方法を提供する点。【構成】電流阻止層とダブルヘテロ接合間にエッチングストップ層を設けると共に、電流阻止層を厚さの違う2層構造とし、厚い層を異方性エッチングで、薄い層を等方性エッチングにより処理して、異方性エッチングによるダメージの影響を抑制し、かつ溝の幅の制御性を高めて内部狭窄型半導体レーザ装置の特性を向上する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と,この基板に重ねてかつ格子整合するIn0 . 5(G a1 - W AlW ) 0 . 5 P 活性層及びIn0 . 5 (G a1 - Y AlY ) 0 . 5 P(1 ≧y>w ≧0)クラッド層から成るダブルヘテロ接合部と,このダブルヘテロ接合部に重ねてかつ格子整合するIn0 . 5 (G a1 - U AlU ) 0 . 5 P(0 ≧u >0.3)で構成するエッチングストップ層と,このエッチングストップ層に重ねてかつ格子整合するストライプ状の電流注入部を備える電流阻止層と,この電流注入部ならびに電流阻止層に重ねてかつ格子整合するコンタクト層とを具備し,前記電流阻止層が前記GaAs基板に近い側から順に、In0 . 5 (G a1 - X AlX ) 0 . 5 P から成る第一層ならびにG a 1 - Z AlZ As(0≦Z ≦1)から成る第二層とから成り、前記第一層及び第二層の一部をストライプ状として電流注入部を構成することを特徴とする内部狭窄型半導体レーザ装置

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