特許
J-GLOBAL ID：200903002376257957
MIS型トランジスタ素子のゲート電極及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163760
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017174
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】ゲート酸化膜の膜厚変化が生じることがなく、しかも、ゲート酸化膜の特性あるいは膜質に劣化が生じることを防止し得るMIS型トランジスタ素子のゲート電極を提供する。【解決手段】MIS型トランジスタ素子のゲート電極は、ゲート酸化膜12上に、多結晶シリコン層13、導電性を有するハロゲン原子拡散抑制層20、及び、高融点金属又は高融点金属シリサイドから構成された導電層14が、順次積層されて成る。かかる導電層14は、金属元素及びハロゲン元素から構成された原料ガスを用いたCVD法にて形成することが好ましい。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化膜上に、多結晶シリコン層、導電性を有するハロゲン原子拡散抑制層、及び、高融点金属又は高融点金属シリサイドから構成された導電層が、順次積層されて成ることを特徴とするMIS型トランジスタ素子のゲート電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/62 G
