特許

J-GLOBAL ID：200903002380162294

レジストパタン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 白石 洋 ,  山中 良子 ,  後藤 康 ,  吉村 俊之 ,  上野 巧
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161609
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】工業的に使用できる高い量産性をもつ乾式現像型のレジストパタン形成方法。【構成】酸触媒によって縮合重合可能なシリコン含有モノマ,活性化学線の作用により酸を生成する酸前駆体及び酸素プラズマによりエッチング可能な高分子マトリックスとからなる乾式現像可能な上層レジストを、有機樹脂からなる下層レジスト上に形成し、活性化学線による所定パタン状露光,シリコン含有成分の酸触媒定着反応,未露光部モノマの揮発,シリコン含有成分定着部をマスクとした上下層レジストの酸素プラズマエッチングによるレジストパタン形成方法。【効果】高集積半導体装置の微細加工を高精度かつ高効率で実現できる。

請求項（抜粋）：

所定基板上に、下層レジスト層を形成する工程,前記下層レジスト層上にシリコン含有乾式現像可能な上層レジスト層を形成する工程,前記上層レジスト層に活性化学線による所定パタン状露光潜像を形成する工程,前記潜像中に生成した触媒を介してシリコン含有成分を定着させる反応を促進する工程,露光部以外の前記上層レジスト中のシリコン含有成分を実質的に除去する工程,シリコン成分を定着したパタンをマスクに酸素プラズマを含むエッチング媒体により上層及び下層レジストをエッチングする工程からなるレジストパタンを形成する方法において、前記上層レジストが、酸触媒によって縮合重合可能なシリコン含有モノマ,活性化学線の作用により酸を生成する酸前駆体及び酸素プラズマによりエッチング可能な高分子マトリックスとを含むことを特徴とするレジストパタン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 569 H