特許
J-GLOBAL ID：200903002382260285
TiNの成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 興作
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039079
公開番号（公開出願番号）：特開2007-217745
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】CVD法によってTiNを成膜する場合に、成膜速度を効果的に高めて生産性を向上させたTiNの成膜方法を提供する。【解決手段】CVD法により基板上にTiNを成膜するに際し、原料ガスとして、H2:10〜80mol%、N2:10〜80mol%、TiCl3:0.2〜60mol%およびTiCl4:5mol%以下の組成になる混合ガスを用い、800°C以上 1300°C以下の温度で成膜する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
化学的気相成長法(CVD法)により基板上にTiNを成膜するに際し、原料ガスとして、H2:10〜80mol%、N2:10〜80mol%、TiCl3:0.2〜60mol%およびTiCl4:5mol%以下の組成になる混合ガスを用い、800°C以上 1300°C以下の温度で成膜することを特徴とするTiNの成膜方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4K030AA03
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA18
, 4K030BA38
, 4K030CA02
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030HA15
, 4K030JA06
, 4K030JA10
出願人引用 (6件)
-
特開昭60-149777
-
メタルプラグの形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-092388
出願人：ソニー株式会社
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特許第4816185号
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審査官引用 (6件)
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