特許

J-GLOBAL ID：200903002382745823

装置保護膜

発明者： 大槻 浩 ,  小原 文雄 ,  豊島 正治
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338849
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267941
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】低応力で紫外線透過性を有する装置保護膜の提供。【構成】紫外線透過性のSiN 膜を有する装置保護膜において、この膜をプラズマCVD法で、組成比Si/Nが0.75以上かつ0.87以下の範囲で構成し、前記SiN 膜にSi-H結合の量Z(cm-3)がSi/Nの値Xによって数2式(図1の直線)Z=1.58×1022X-9.94×1021で表される近傍の量を含有して形成し、同時にSiN 膜に含まれる、前記Si-H結合の量Zを含めた水素結合量Y(cm-3)が前記の値Xによって、数1式Y=1.01×1022X+0.54×1022で表される近傍の量を含有して形成すると、SiN 膜は波長254nm の紫外線を透過し、膜内応力を低下させると共に高耐湿性の保護膜とする事ができる。

請求項（抜粋）：

窒化シリコンよりなる装置保護膜であって、前記窒化シリコンの構成元素であるシリコンと窒素との比Si/Nの値Xに対して、水素の結合量Yが、【数1】Y=1.01×1022X+0.54×1022で表される近傍の量を含有して形成されると共に、前記水素結合量Xにおいて、シリコンと水素との水素結合量Zが前記シリコンと窒素との比Si/Nの値Xに対して、【数2】Z=1.58×1022X-9.94×1021で表される近傍の量を含有して形成された装置保護膜。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-126698
  
• 特開平2-234430