特許
J-GLOBAL ID：200903002382991131
複合基板、光導波路、クラッド用材料及び複合基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192745
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019574
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】【課題】 結晶質セラミック基板上に光損失が小さいSiO2を主成分とするガラスからなる厚膜を一体化して形成するには最低でも800°Cを超える温度で形成しなければならない、基板材料とSiO2の熱膨張係数の差が大きいために十分な信頼性が得られないといった問題があった。【解決手段】 結晶質セラミック基板の上に該セラミック基板との熱膨張係数を合わせるために調整剤を加えたSiO2ガラス層が形成されてモノリシックな構造であることを特徴とする。ここで、SiO2ガラス層に添加される調整剤は、B2O3、CaO、MgO、Na2O、Li2O、Al2O3のいずれか1種類以上であり、SiO2の層を形成するにはゾルゲル法を含むスピンオングラス(SOG)法で作製することができる。上記方法で形成された複合基板はアニール工程の温度を800°C未満にすることが可能であり、該ガラス膜を下部クラッドとして用いることによって信頼性の高い光導波路が得られる。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の上に、前記セラミック基板との熱膨張係数を合わせるための調整剤を添加したSiO2ガラス層を有することを特徴とする複合基板。
IPC (4件)：
C04B 41/86
, G02B 6/12
, G02B 6/13
, H05K 1/03 610
C04B 41/86 T
, H05K 1/03 610 D
, G02B 6/12 N
, G02B 6/12 M
2H047KA03
, 2H047PA02
, 2H047PA21
, 2H047QA04
, 2H047TA31
