特許
J-GLOBAL ID：200903002383802367
クラスレート化合物と高効率熱電材料およびそれらの製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220568
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048517
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、熱伝導率が高く、ゼーベック係数が高く、電気伝導率も高いという3条件を満たすべく、性能指数が1を超えるような高効率熱電材料に適用が期待されるクラスレート化合物を提供することを目的の1つとする。【解決手段】 本発明は、SiまたはGe等の周期律表IVB族元素の原子を主体としてなるクラスレート格子と、該クラスレート格子の格子間隙に内包され該クラスレート格子の構成原子よりも質量の大きな周期律表IA族、IIA族、IIIA族、IB族、IIB族、IIIB族の原子のうちの少なくとも1種のドーピング原子と、前記クラスレート格子を構成する原子の少なくとも一部と置換された周期律表VA族、VIA族、VIIA族、VB族、VIB族、VIIB族、VIII族の原子のうちの少なくとも1種の置換原子とを主体としてなる。
請求項（抜粋）：
SiまたはGe等の周期律表IVB族元素の少なくとも1種の原子を主体としてなるクラスレート格子と、該クラスレート格子の格子間隙に内包され該クラスレート格子の構成原子よりも質量の大きな周期律表IA族、IIA族、IIIA族、IB族、IIB族、IIIB族の原子のうちの少なくとも1種のドーピング原子と、前記クラスレート格子を構成する原子の少なくとも一部と置換された周期律表VA族、VIA族、VIIA族、VB族、VIB族、VIIB族、VIII族の原子のうちの少なくとも1種の置換原子とを主体としてなることを特徴とするクラスレート化合物。
IPC (4件)：
C01B 33/02
, H01L 35/14
, H01L 35/32
, H01L 35/34
C01B 33/02
, H01L 35/14
, H01L 35/32 A
, H01L 35/34
4G072AA20
, 4G072BB01
, 4G072BB05
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072JJ07
, 4G072JJ08
, 4G072JJ09
, 4G072LL03
, 4G072MM01
, 4G072MM02
, 4G072MM26
, 4G072MM37
, 4G072QQ03
, 4G072RR13
, 4G072UU30
