特許

J-GLOBAL ID：200903002390453548

磁性金属材からなる薄膜を含む磁性多層薄膜のエッチング方法

発明者： 江上 明宏 ,  真下 公子 ,  松井 尚子 ,  岡田 修
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244581
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057058
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 MRAMや高密度磁気ヘッドの生産に要求されるTMR膜などの、主に磁性合金からなる各層が複数積層されて形成されている磁性多層薄膜の微細加工に適し、特に、再付着がなく、磁性多層薄膜の特性を維持できる温度領域で行うことのできるエッチング方法を提供する。【解決手段】 磁性金属材からなる薄膜を含む磁性多層薄膜をエッチングする方法であって、磁性金属材からなる薄膜を金属化合物に変化させる工程と、当該金属化合物の薄膜を錯化してその錯体を作る錯化工程と、当該錯体を昇華させる昇華工程とからなり、磁性金属材からなる薄膜を金属化合物に変化させる工程が律速過程となるようにエッチングが行われることを特徴とするエッチング方法によって課題を解決した。

請求項（抜粋）：

磁性金属材からなる薄膜を含む磁性多層薄膜をエッチングする方法であって、磁性金属材からなる薄膜を金属化合物に変化させる工程と、当該金属化合物の薄膜を錯化してその錯体を作る錯化工程と、当該錯体を昇華させる昇華工程とからなり、磁性金属材からなる薄膜を金属化合物に変化させる工程が律速過程となるようにエッチングが行われることを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01F 41/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01F 41/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5D034BA02 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049DB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03