特許
J-GLOBAL ID：200903002393947401
エッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212237
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078394
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【構成】 本発明は、シリコン基板1上に酸化膜2を形成する工程と、この酸化膜2上にシリコン基板1と同等のエッチングレートを有する多結晶シリコン膜3を形成する工程と、シリコン基板1の所定表面が露出するよう、酸化膜2と多結晶シリコン膜3をパターニングする工程と、シリコン基板1の一部と多結晶シリコン膜3をエッチングする工程を有することを特徴とするエッチング方法。【効果】 本発明を用いると、シリコン基板1のエッチング面積が変化しても安定したエッチング特性を有するシリコン基板1のエッチング方法を提供できる。
請求項（抜粋）：
被エッチング物質上に第1の膜を形成する工程と、この第1の膜上に前記被エッチング物質と同等のエッチングレートを有する第2の膜を形成する工程と、前記被エッチング物質の所定表面が露出するよう、前記第1の膜と前記第2の膜をパターニングする工程と、前記被エッチング物質の一部と前記第2の膜をエッチングする工程を有することを特徴とするエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 M
