特許

J-GLOBAL ID：200903002395263127

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  小山 潤
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301249
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135468
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。【構成】 結晶化を助長する金属元素を利用して結晶化した結晶性珪素膜105で活性層を形成し、さらにハロゲン元素を含む雰囲気中における加熱処理を行って前記金属元素のゲッタリング除去を行なう。この処理を経た活性層106は針状または柱状結晶が複数集合した結晶構造体で構成される。この結晶構造体を利用して作製された半導体装置は極めて高い性能を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基体上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層と、前記活性層表面に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、を少なくとも有する絶縁ゲイト型の半導体装置であって、前記活性層中には結晶化を助長する金属元素が 1×1016〜 5×1017atoms/cm3の濃度で存在し、電気特性を表すS値の標準偏差がNチャネル型で15mV/dec以内および/またはPチャネル型で30mV/dec以内に収まることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 S