特許
J-GLOBAL ID：200903002401011011
プローブ基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041925
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230034
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 被検査対象に半導体テスト装置からの信号を導くプローブ基板およびその製造方法を得ること。【構成】 ベースフィルム1aの一方の表面上に所要のパターンを有するように配線層1b1,1b2を形成し、この配線層の一端付近の、被検査対象の電極パッドに対応する位置にバンプ電極1d2,1d3を形成するとともにこの配線層の他端付近に、半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりとりを行うためのバンプ電極1d1,1d4を形成し、この工程により完成した配線フィルム1を基材2上に取り付けてプローブ基板を完成するようにした。
請求項（抜粋）：
絶縁体から形成されたフィルム状基体と、このフィルム状基体の一方の表面上に所要のパターンを有するように形成された配線層と、この配線層の一端付近の被検査対象の電極パッドに対応する位置に形成された第1の電極部材と、この配線層の他端付近に形成された半導体テスト装置との間で電気的に信号のやりとりを行うための第2の電極部材とを有する配線フィルムと、その上に上記配線フィルムが搭載される基材とを備えたことを特徴とするプローブ基板。
IPC (3件)：
G01R 1/073
, G01R 31/26
, H01L 21/66
