非単結晶トランジスタ集積回路及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-102748
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294300
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】更に多機能化した非単結晶トランジスタ集積回路及びその製造方法を提供する。【解決手段】先ず、高分子フィルム1に、スルーホール加工を施す。このように形成された孔を通じて、表裏面の電極2,3に電気的な導通をとる。次に、ゲート絶縁膜5を塗布し、オーブンで硬化させる。その後、ポリイミドの一部を剥離し、ビアを形成するための準備をする。さらに、有機半導体層6を、蒸着法などで形成する。この蒸着の際に、メタルマスクを用いることによって、必要な箇所だけに有機半導体層6を形成し、素子分離を行う。最後に、ソース電極7及びドレイン電極8を形成して有機トランジスタ9を完成させる。このようにして有機トランジスタ9の集積回路を形成した後、有機トランジスタ9の集積回路を有するN枚(Nは2以上の自然数。図1の場合、3)のシート10を重ねて貼り合わせる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高分子フィルムにスルーホールを形成するステップと、前記スルーホールを通じて、前記高分子フィルムの両面を電気的に接続するステップと、前記高分子フィルムの一方の面に非単結晶トランジスタを設けるステップと、前記非単結晶トランジスタが形成された高分子フィルムを、縦方向にN層(Nを2以上の自然数とする。)重ね合わせ、前記スルーホールを通じて各高分子フィルムの非単結晶トランジスタを電気的に接続するステップとを具えることを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路の製造方法。

IPC (7件)：

H01L21/336 , G01B7/16 , G01L1/14 , G01L5/00 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L29/84

FI (6件)：

H01L29/78 627D , G01L1/14 K , G01L5/00 101Z , H01L29/84 Z , H01L27/14 C , G01B7/22

Fターム (39件)：

2F051AB06 , 2F051BA08 , 2F063AA25 , 2F063CA09 , 2F063DA05 , 2F063DD06 , 2F063HA01 , 2F063HA10 , 4M112AA01 , 4M112BA07 , 4M112CA41 , 4M112CA46 , 4M112EA14 , 4M112FA20 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA03 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118FB08 , 4M118FB13 , 4M118GA02 , 4M118GB03 , 4M118HA27 , 5F110AA04 , 5F110BB11 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-390353 出願人：シャープ株式会社

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