特許
J-GLOBAL ID：200903002408416610
プラズマ処理方法およびプラズマ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272576
公開番号（公開出願番号）：特開平6-122983
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 高速処理と低ダメージ、異方性の相反する特性を両立させる。【構成】 シリコン酸化膜のエッチングは、チャンバー14にガスをガス導入口17から導入し、真空ポンプ19で排気して、圧力を一定に保って行う。このガスに対して、カソード15とアノード16との間に高周波(RF)電界を印加する。チャンバー14とカソード15との間は絶縁体21で電気的に絶縁されている。RFはRF電源11からカソード15に供給される。2つの異なる周波数を有するRF電源11,12を切り替えスイッチ13を介してカソード15に接続している。周波数の切り替えは、装置のコントローラーからの指示によって行う。
請求項（抜粋）：
被処理物をチャンバー内の第1の電極上に接地し、前記チャンバー内に所定のガスを導入し、前記第1の電極に第1の電源を印加し、前記第1の電極と第2の電極間にプラズマを発生させ、その後、前記第1の電極と前記第1の電源間に設けられたスイッチで前記第1の電極と第2の電源とを接続することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/46
