特許

J-GLOBAL ID：200903002423082664

光電変換装置およびその製造方法ならびに固体撮像装置ならびにその製造方法

発明者： 村上 一朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046263
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249639
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードの表面における入射光の反射に起因した見掛けの感度の低下の問題を改善または解消すると共に、スミアに起因した撮像性能の低下の問題を改善または解消する。【解決手段】 Si(シリコン)を主要材料とする半導体基板1の表面に、入射して来る光に応じて各々電荷を発生させるフォトダイオード3が形成されており、そのフォトダイオード3の上に、そのフォトダイオード3の材質とは異った材質の、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜7が形成されており、その絶縁膜7に対面するフォトダイオード3の表面に、半導体基板1の厚さ方向にフォトダイオード3に向かって、絶縁膜7のシリコン酸化膜に対するSiの比率が徐々に高くなって行くような凹凸形状20が形成されている。

請求項（抜粋）：

シリコンを主要材料とする半導体基板の表面に、入射して来る光に応じて各々電荷を発生させる光電変換部が配列形成されており、その光電変換部の上に、前記光電変換部の材質とは異った材質からなる絶縁膜が形成されている光電変換装置であって、前記絶縁膜に対面する前記光電変換部の表面に、前記入射して来る光の互いに直交する2つの偏光成分のうち、前記光電変換部で光から電子への光電変換によって発生する当該光電変換装置における信号電荷である有効電荷とノイズ成分である無効電荷とのうちの無効電荷を発生させる要因となる度合いの低い方の偏光成分の反射率を、前記無効電荷を発生させる要因となる度合いの高い方の偏光成分の反射率よりも低減させる手段が形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (22件)：

4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GD04 ,  5C024CX13 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX24 ,  5C024GX02 ,  5F049MA01 ,  5F049MB03 ,  5F049NA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049PA09 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ13