特許
J-GLOBAL ID：200903002426307047
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224697
公開番号（公開出願番号）：特開平7-077795
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 光半透過部を高透過率層と低透過率層との複数層構造にしたハーフトーン型位相シフトマスクを歩留まりよく製造することができるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供する。【構成】 ドライエッチングによる低透過率層2の形成工程の後であって、高透過率層3の形成工程の前に、上記低透過率層2の形成工程におけるドライエッチングの際に前記透明基板1上に残渣7aとして堆積した不要生成物を除去する不要生成物除去工程を行う。
請求項（抜粋）：
微細パターン露光を施すためのマスクであり、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクであって、前記光半透過部が、高透過率層と低透過率層とが積層した構造を有するハーフトーン型位相シフトマスクを製造するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に低透過率膜を形成し、この低透過率膜の一部であって形成すべきマスクパターンの光透過部となる部分をドライエッチングにより除去するパターン形成処理を行って低透過率層を形成する低透過率層形成工程と、この低透過率層に積層する高透過率層を形成する高透過率層形成工程とを有し、前記高透過率層形成工程の前に、前記低透過率層部形成工程におけるドライエッチングの際に前記透明基板上に残渣として堆積した不要生成物を除去する不要生成物除去工程を行うことを特徴としたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
