特許
J-GLOBAL ID：200903002426668112
静電容量型圧力センサユニットの保護回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 英俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356751
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183289
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 静電容量型圧力センサ素子の出力を処理するCMOS集積回路を外来ノイズから保護する。【解決手段】 静電容量型圧力センサ素子1に、CMOSICからなるCPセンサIC2が接続する。電源入力端子Vinと電源グランド端子Vssとの間に、電源グランド端子Vss側にアノードを向けた第1のツェナーダイオードDi1と第1のコンデンサC1とをそれぞれ接続する。出力端子Voutと電源グランド端子Vssとの間に、第2のツェナーダイオードDi2と第2のコンデンサC2とをそれぞれ接続する。第1及び第2のコンデンサC1及びC2は、第1及び第2のツェナーダイオードDi1及びDi2がブレークダウンするまでの間、ノイズのピーク電圧を降下させる。
請求項（抜粋）：
圧力の変化を静電容量の変化に変換して検出する静電容量型圧力センサ素子と、前記静電容量型圧力センサ素子の出力を処理するCMOS集積回路と、前記CMOS集積回路に電気的に接続された電源入力端子、電源グランド端子及び出力端子とを具備し、少なくとも電源グランド端子とアースとの間にノイズ吸収用のコンデンサが接続されている静電容量型圧力センサユニットの保護回路であって、前記電源入力端子と前記電源グランド端子との間に前記電源グランド端子側にアノードを向けた第1のツェナーダイオードと第1のコンデンサとがそれぞれ接続され、前記出力端子と前記電源グランド端子との間に前記電源グランド端子側にアノードを向けた第2のツェナーダイオードと第2のコンデンサとがそれぞれ接続され、前記第1及び第2のコンデンサは、ピーク電圧の高いノイズが入力されたときに前記第1及び第2のツェナーダイオードがブレークダウンするまでの間前記ノイズが高いピーク電圧を持って前記CMOS集積回路内に入り込むのを阻止する容量を有していることを特徴とする静電容量型圧力センサユニットの保護回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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