特許

J-GLOBAL ID：200903002426881851

半導体装置の製造方法

発明者： 松井 嘉孝 ,  久保田 剛 ,  北村 敏彦 ,  間瀬 康一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307114
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145139
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】金属埋め込み配線形成後、ダイシングライン上に残存する不要な金属材料に溶液中で電流を流すことにより、埋め込み配線部にはダメージを与えずに、不要な金属材料を選択的に除去できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上に配線溝を形成しこの配線溝に金属材料を埋め込んだ金属埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法において、前記金属材料を作用電極20に接続して電解液中で金属材料に電流を流すことによって電極反応を起こし、前記金属材料をアノード溶解させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線溝を形成しこの配線溝に金属材料を埋め込んだ金属埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法において、溶液中で前記金属材料に電流を流し、前記金属材料を溶解させる工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平4-507326
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-278378   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭49-115483
  
• 特開昭62-065336